| Materiais | Cerâmica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Força da isolação | ≥15KV/mm |
| Temperatura de funcionamento | Até 1000°C |
| tamanho | Vários tamanhos disponíveis |
| A rugosidade da superfície | 0.3-08 Um |
| Materiais | Cerâmica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Cores | Verde, Preto, Branco, Cinzento |
| A rugosidade da superfície | 0.3-08 Um |
| Força da isolação | ≥15KV/mm |
| Temperatura de funcionamento | Até 1000°C |
| Materiais | Cerâmica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| tamanho | Vários tamanhos disponíveis |
| Durabilidade | Duração |
| Aplicação | Transistores, MOSFETs, diodos Schottky, IGBTs, fontes de alimentação de comutação de alta densidade, |
| A rugosidade da superfície | 0.3-08 Um |
| Dissipação de calor | Eficiência |
|---|---|
| Materiais | Cerâmica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Durabilidade | Duração |
| Resistência à temperatura | < 700°C |
| Aplicação | Transistores, MOSFETs, diodos Schottky, IGBTs, fontes de alimentação de comutação de alta densidade, |
| Material | Cerâmica, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Página de guerra | ≤ 2‰ |
| Força mecânica | ≥3000MPa |
| Dissipação de calor | Eficiência |
| Durabilidade | Duração |
